QSI 830nm 200mw ليزر الأشعة تحت الحمراء Diode شعاع الليزر غير المرئي QL83R6SX TO-18 5.6mm

QSI 830nm 200mw ليزر الأشعة تحت الحمراء Diode شعاع الليزر غير المرئي QL83R6SX TO-18 5.6mm

QL83R6S-A/B/C is a MOCVD grown 830nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure. It's an attractive light source, with a typical light output power of 200mW for industrial optical module and sensor applications. 

[سمات]
1. Wavelength: 830nm(typ.)
2. Optical Power Output: 200mW CW
3. نوع الحزمة: TO-18 (5.6mm)
4. Built-in Photo Diode for Monitoring ليزر ديود

[التطبيقات]
1. Motion Recognition Sensor 
2. Industrial Optical Module